型号 | IPL60R299CP |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON |
IPL60R299CP PDF | ![]() |
代理商 | IPL60R299CP |
标准包装 | 3,000 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 299 毫欧 @ 6.6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.5V @ 440µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V |
功率 - 最大 | 96W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-TSFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | PG-VSON-4 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | IPL60R299CP-ND IPL60R299CPAUMA1 SP000841896 |